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        通過選擇性p-GaN柵極外延技術在基于GaN的功率器件中實現熱電子硬化效應
        
		
        
		
        《IEEE Transactions on Electron Devices》：Hot-Electron Hardening in GaN-Based Power Devices by Selective p-GaN Gate Epitaxy
        
        
        
            
            【字體：
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            】
            
            時間：2026年02月25日
            來源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2
        
        
        
        
        
        
        	
        
            	
        編輯推薦：
        
                
        
                　　選擇性gate epitaxy策略用于增強型HEMT的p-GaN門制備，避免接觸區生長和刻蝕，保留高質量異質結層。相比傳統工藝，器件在6V柵壓下漏極擊穿電壓提升1.5倍，長期半導通應力下導通電阻衰減顯著，且兼容門 recess工藝，通過增厚AlGaN勢壘實現更低導通電阻和正常關斷特性。
                
        
				
        
					
        
				
        
            
        
            
			
        
        
        
        
        　　
        摘要：
        本文提出了一種選擇性柵極外延策略，用于增強型高電子遷移率晶體管（HEMTs）中p-GaN柵極的形成，以提高其對熱電子效應的魯棒性。該方法避免了在接入區域進行p-GaN的生長和刻蝕工藝，從而保留了高質量的生長態勢壘層。與傳統p-GaN柵極HEMTs相比，采用選擇性外延柵極的器件在6 V的柵壓（GS）下表現出高達1.5倍的漏極擊穿電壓，并且在長期半導通應力下（DS范圍為100至400 V）的導通電阻（R_on）降低顯著。此外，這種選擇性p-GaN柵極外延工藝還與柵極刻蝕工藝兼容，能夠在保持厚AlGaN勢壘的同時實現正常的關斷狀態，進一步降低導通電阻。
        
        
        
		
        
        
        	
          
        		
        	
        
        
        

		
        
		
        

        
        
        	
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