本研究對六種β-Ga2O3 MOSFET變體進行了電氣特性分析，這些變體旨在解決器件隔離和漏電問題。未經隔離處理的平面器件在關斷狀態下存在嚴重的漏電現象，其導通/關斷電流比（IO/F）低于10，主要原因是柵極焊盤下方形成的金屬-絕緣體-半導體異質結構以及擴展的活性區域導致的漏電。引入MESA（Metal-Insulator-Semiconductor）隔離結構后，通過抑制這些漏電路徑，導通/關斷電流比提升至約3。然而，MESA刻蝕過程中產生的等離子體對側壁的損傷引入了新的漏電通道，限制了性能的進一步改善。為緩解這一問題，采用厚度為200納米的SiO2層對側壁進行了鈍化處理，有效降低了漏電并提高了導通/關斷電流比。總體而言，柵極焊盤位于絕緣基底上且側壁經過鈍化的結構表現最為優異。通過在后MESA刻蝕步驟中加入退火處理以及在場效應晶體管結構中引入場板，可以進一步提升鈍化效果和電場控制能力。