在本研究中，我們將金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率晶體管（MIS-HEMT）置于負偏壓應力（NBS）下，并對其進行X射線輻照，以探討負柵壓、溫度變化和輻射暴露的綜合影響。研究結果表明，在X射線輻照下，閾值電壓（Vth）隨溫度升高的變化趨勢與非輻照條件下的趨勢相反。然而，導通電流（Ion）隨溫度升高而減小，顯示出更嚴重的退化現象。分析表明，這種相反的閾值電壓變化趨勢主要是由于X射線輻照導致Si3N4層中的前驅體發生去鈍化作用。隨著溫度的升高，柵極注入的電子與退化產生的空穴之間的競爭機制緩解了閾值電壓的負向變化。此外，導通電流的變化主要歸因于柵極場板（G-FP）的電子注入，進一步證實了X射線在Si3N4層中產生了缺陷。此外，在恢復階段和TCAD模擬實驗中采用了正柵壓來驗證載流子注入行為，單脈沖測量結果也進一步支持了X射線誘導缺陷的存在。本研究提出了一種在NBS條件下受X射線輻照時的溫度依賴性物理機制，旨在擴展D型MIS-HEMT在高輻射環境中的應用范圍。