隨著第五代（5G）和第六代（6G）電子技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能輕質(zhì)、靈活的電磁干擾（EMI）屏蔽材料的需求日益迫切[1]、[2]。這類(lèi)材料不僅需要具備優(yōu)異的EMI屏蔽效果，還需要具備機(jī)械強(qiáng)度、有效的熱管理和可靠的傳感能力，以滿(mǎn)足下一代可穿戴和便攜式設(shè)備的多功能需求[3]、[4]、[5]。在過(guò)去幾十年中，人們探索了多種導(dǎo)電納米材料用于EMI屏蔽，包括碳納米管（CNTs）[6]、[7]、[8]、石墨烯[9]、[10]、金屬納米線(xiàn)[11]、[12]、[13]以及二維過(guò)渡金屬碳化物/氮化物（MXenes）[14]、[15]、[16]、[17]。其中，MXenes（尤其是Ti?C?T?）因其金屬導(dǎo)電性、可調(diào)層狀結(jié)構(gòu)以及表面親水官能團(tuán)（-F、-O、-OH）而受到廣泛關(guān)注，這些官能團(tuán)有利于基于溶液的處理，使其成為構(gòu)建高性能EMI屏蔽膜的理想材料[18]。然而，MXene納米片本身的脆性和層間凝聚力較弱，限制了其機(jī)械強(qiáng)度和長(zhǎng)期可靠性，從而阻礙了實(shí)際應(yīng)用。為了解決這些問(wèn)題，最近的研究集中在界面增強(qiáng)策略上，例如引入聚合物或一維（1D）納米纖維來(lái)加強(qiáng)層間相互作用并提高M(jìn)Xene基薄膜的機(jī)械強(qiáng)度[12]、[14]、[17]、[19]。例如，Jahange等人通過(guò)溶劑澆鑄法制備了MXene-PVA復(fù)合薄膜，聚合物的引入顯著提高了薄膜的拉伸強(qiáng)度，從19.5 MPa提升至56.0 MPa[20]；Zhou等人則結(jié)合了MXene、芳綸納米纖維（ANF）和PEDOT:PSS，制備出具有超高拉伸強(qiáng)度（155.9 MPa）和優(yōu)異EMI屏蔽性能（48.1 dB）的雙層復(fù)合薄膜[21]。然而，大多數(shù)聚合物來(lái)自石油，可再生性有限且可能存在環(huán)境問(wèn)題[22]。

相比之下，纖維素納米纖維（CNFs）來(lái)源于豐富的可再生生物質(zhì)資源[23]，具有高長(zhǎng)寬比[24]、出色的機(jī)械強(qiáng)度[25]以及與MXene納米片的良好界面相容性[26]，使其成為有前景的增強(qiáng)組分。然而，它們本身的導(dǎo)電性較差，可能會(huì)干擾MXene框架內(nèi)的電子傳輸路徑，從而降低薄膜的整體導(dǎo)電性和屏蔽性能。為了解決這個(gè)問(wèn)題，引入了銀納米顆粒（AgNPs）作為高導(dǎo)電性的納米橋梁，重新建立并密實(shí)MXene片層之間的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。得益于其納米級(jí)尺寸和優(yōu)異的導(dǎo)電性，AgNPs有效促進(jìn)了界面電荷轉(zhuǎn)移，從而恢復(fù)了導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)并顯著提高了EMI屏蔽效果。與以往報(bào)道的MXene/Ag/纖維素三元復(fù)合材料（通常采用非分層混合方式）相比，我們的工作建立了一種多相分層（0D–1D–2D）結(jié)構(gòu)，其中AgNPs作為層間納米橋梁，CNF形成機(jī)械強(qiáng)度高的1D支架，MXene提供連續(xù)的2D導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠在材料高效的情況下同時(shí)調(diào)節(jié)層狀排列和界面電荷傳輸。

在這里，我們提出了一種簡(jiǎn)單的自組裝策略，通過(guò)整合二維（2D）MXene納米片、一維（1D）CNFs和零維（0D）AgNPs來(lái)構(gòu)建MXene/AgNPs/CNF多相分層復(fù)合薄膜。這種0D-1D-2D分層配置協(xié)同增強(qiáng)了機(jī)械強(qiáng)度和導(dǎo)電性，同時(shí)保持了優(yōu)異的EMI屏蔽性能。通過(guò)優(yōu)化三相之間的界面耦合和電子傳輸，所得復(fù)合薄膜成功解決了機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)電性和EMI屏蔽性能之間的長(zhǎng)期矛盾。這項(xiàng)工作不僅為設(shè)計(jì)基于MXene的復(fù)合薄膜提供了一種材料高效的策略，還為界面電荷轉(zhuǎn)移和分層結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系提供了基本見(jiàn)解，為開(kāi)發(fā)靈活的EMI屏蔽材料、可穿戴傳感器和多功能電子設(shè)備奠定了基礎(chǔ)。